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IRFH5015TRPBF  与  BSC360N15NS3 G  区别

型号 IRFH5015TRPBF BSC360N15NS3 G
唯样编号 A-IRFH5015TRPBF A-BSC360N15NS3 G
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 150 V 3.6 W 33 nC SMT HexFet Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.15mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 31mΩ@34A,10V 36mΩ
上升时间 - 6ns
漏源极电压Vds 150V 150V
Pd-功率耗散(Max) 3.6W(Ta),156W(Tc) 74W
Qg-栅极电荷 - 12nC
栅极电压Vgs ±20V 20V
典型关闭延迟时间 - 12ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 PQFN -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 10A 33A
系列 HEXFET® OptiMOS3
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 150µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2300pF @ 50V -
长度 - 5.9mm
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 50nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 4ns
典型接通延迟时间 - 9ns
高度 - 1.27mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFH5015TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

PQFN

暂无价格 0 当前型号
BSC360N15NS3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC360N15NS3 G_8-PowerTDFN

暂无价格 0 对比
BSC360N15NS3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC360N15NS3GATMA1_5.9mm

暂无价格 0 对比

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